BUK6Y12-30PX - Nexperia USA Inc.

Numero di parte	BUK6Y12-30PX
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	67A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	12 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	60nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2.88nF @ 15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	106W (Ta)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	LFPAK56, Power-SO8
Pacchetto / caso	SC-100, SOT-669
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
BUK617-500AE	ORIGINAL	BUK617-500AE ORIGINAL SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
BUK6207-30C	ORIGINAL	BUK6207-30C ORIGINAL TO-252 New Original Stocks	Dettagli
BUK6207-30C,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 90A DPAK	Dettagli
BUK6207-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 90A DPAK	Dettagli
BUK6208-40C,118	NXP USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 90A DPAK	Dettagli
BUK6209-30C	ORIGINAL	BUK6209-30C ORIGINAL TO-252 New Original Stocks	Dettagli
BUK6209-30C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 30V 50A DPAK	Dettagli
BUK6210-55C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 55V 78A DPAK	Dettagli
BUK6211-75C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 75V 74A DPAK	Dettagli
BUK6212-40C,118	Nexperia USA Inc.	MOSFET N-CH 40V 50A DPAK	Dettagli