LN60A01EP-LF - Monolithic Power Systems Inc.

Numero di parte	LN60A01EP-LF
Stato parte	Active
Tipo FET	3 N-Channel, Common Gate
Caratteristica FET	Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	80mA
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 Ohm @ 10mA, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	-
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	-
Potenza - Max	1.3W
temperatura di esercizio	-20°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	8-DIP (0.300", 7.62mm)
Pacchetto dispositivo fornitore	8-PDIP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
LN60A01EP-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8DIP	Dettagli
LN60A01ES-LF	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	Dettagli
LN60A01ES-LF-Z	Monolithic Power Systems Inc.	MOSFET 3N-CH 600V 0.08A 8SOIC	Dettagli