APTSM120AM55CT1AG Descrizione dettagliata
| Numero di parte |
APTSM120AM55CT1AG |
| Stato parte |
Active |
| Tipo FET |
2 N-Channel (Dual), Schottky |
| Caratteristica FET |
Silicon Carbide (SiC) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) |
1200V (1.2kV) |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
74A (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs |
50 mOhm @ 40A, 20V |
| Vgs (th) (Max) @ Id |
3V @ 2mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
272nC @ 20V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
5120pF @ 1000V |
| Potenza - Max |
470W |
| temperatura di esercizio |
-40°C ~ 175°C (TJ) |
| Tipo di montaggio |
Chassis Mount |
| Pacchetto / caso |
SP1 |
| Pacchetto dispositivo fornitore |
SP1 |
| Peso |
- |
| Paese d'origine |
- |
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