| Numero di parte | APTM20AM08FTG |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | 2 N-Channel (Half Bridge) |
| Caratteristica FET | Standard |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 208A |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 10 mOhm @ 104A, 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 5V @ 5mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 280nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 14400pF @ 25V |
| Potenza - Max | 781W |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SP4 |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SP4 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APTM20AM04FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 372A SP6 | Dettagli |
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APTM20AM05FG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 317A SP6 | Dettagli |
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APTM20AM05FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 333A SP4 | Dettagli |
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APTM20AM06SG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 300A SP6 | Dettagli |
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APTM20AM08FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 208A SP4 | Dettagli |
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APTM20AM10FTG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Dettagli |
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APTM20AM10STG | Microsemi Corporation | MOSFET 2N-CH 200V 175A SP4 | Dettagli |
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APTM20DAM04G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 372A SP6 | Dettagli |
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APTM20DAM05G | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 317A SP6 | Dettagli |
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APTM20DAM08TG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 200V 208A SP4 | Dettagli |
