APTM100VDA35T3G Descrizione dettagliata
Numero di parte |
APTM100VDA35T3G |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
2 N-Channel (Dual) |
Caratteristica FET |
Standard |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
1000V (1kV) |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
22A |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
420 mOhm @ 11A, 10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 2.5mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
186nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
5200pF @ 25V |
Potenza - Max |
390W |
temperatura di esercizio |
-40°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Chassis Mount |
Pacchetto / caso |
SP3 |
Pacchetto dispositivo fornitore |
SP3 |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
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