APTM100VDA35T3G

APTM100VDA35T3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTM100VDA35T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET 2N-CH 1000V 22A SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Array
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1 Day
Codice data
New
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APTM100VDA35T3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTM100VDA35T3G
Stato parte Obsolete
Tipo FET 2 N-Channel (Dual)
Caratteristica FET Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V (1kV)
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 22A
Rds On (Max) @ Id, Vgs 420 mOhm @ 11A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 2.5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 186nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 5200pF @ 25V
Potenza - Max 390W
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso -
Paese d'origine -

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