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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGV50H60BT3G
APTGV50H60BT3G

APTGV50H60BT3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGV50H60BT3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOD IGBT NPT 600V SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGV50H60BT3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
483 pcs
Prezzo di riferimento
USD 54.3318/pcs
Il nostro prezzo
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APTGV50H60BT3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGV50H60BT3G
Stato parte Not For New Designs
Tipo IGBT NPT, Trench Field Stop
Configurazione Boost Chopper, Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 65A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.45V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.2nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso -
Paese d'origine -

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