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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGTQ200DA65T3G
APTGTQ200DA65T3G

APTGTQ200DA65T3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGTQ200DA65T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MODULE - IGBT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGTQ200DA65T3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3305 pcs
Prezzo di riferimento
USD 49.782/pcs
Il nostro prezzo
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APTGTQ200DA65T3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGTQ200DA65T3G
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Configurazione Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 200A
Potenza - Max 483W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 200µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 12nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso Module
Pacchetto dispositivo fornitore SP3F
Peso -
Paese d'origine -

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