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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGT200DA170D3G
APTGT200DA170D3G

APTGT200DA170D3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGT200DA170D3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT 1700V 400A 1250W D3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGT200DA170D3G Navigazione online PDF
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-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
282 pcs
Prezzo di riferimento
USD 90.8407/pcs
Il nostro prezzo
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APTGT200DA170D3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGT200DA170D3G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1700V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 400A
Potenza - Max 1250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.4V @ 15V, 200A
Corrente - Limite del collettore (max) 5mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 17nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso D-3 Module
Pacchetto dispositivo fornitore D3
Peso -
Paese d'origine -

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