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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGLQ75H65T1G
APTGLQ75H65T1G

APTGLQ75H65T1G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGLQ75H65T1G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
PWR MOD IGBT4 650V 150A SP1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGLQ75H65T1G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
560 pcs
Prezzo di riferimento
USD 46.4127/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

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APTGLQ75H65T1G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGLQ75H65T1G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Full Bridge
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 150A
Potenza - Max 250W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.3V @ 15V, 75A
Corrente - Limite del collettore (max) 100µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 4.62nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso SP1
Pacchetto dispositivo fornitore SP1
Peso -
Paese d'origine -

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