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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGL60DDA120T3G
APTGL60DDA120T3G

APTGL60DDA120T3G - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGL60DDA120T3G
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
IGBT4 MODULE TRENCH 1200V SP3
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGL60DDA120T3G Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
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Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
644 pcs
Prezzo di riferimento
USD 40.0401/pcs
Il nostro prezzo
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APTGL60DDA120T3G Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGL60DDA120T3G
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Dual Boost Chopper
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 80A
Potenza - Max 280W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.25V @ 15V, 50A
Corrente - Limite del collettore (max) 250µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 2.77nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP3
Pacchetto dispositivo fornitore SP3
Peso -
Paese d'origine -

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