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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › APTGL475U120DAG
APTGL475U120DAG

APTGL475U120DAG - Microsemi Corporation

Numero di parte
APTGL475U120DAG
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
POWER MOD IGBT4 SER DIODE SP6
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
APTGL475U120DAG Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
215 pcs
Prezzo di riferimento
USD 117.2238/pcs
Il nostro prezzo
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APTGL475U120DAG Descrizione dettagliata

Numero di parte APTGL475U120DAG
Stato parte Active
Tipo IGBT Trench Field Stop
Configurazione Single
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 1200V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 610A
Potenza - Max 2307W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.2V @ 15V, 400A
Corrente - Limite del collettore (max) 4mA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 24.6nF @ 25V
Ingresso Standard
Termistore NTC No
temperatura di esercizio -40°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso SP6
Pacchetto dispositivo fornitore SP6
Peso -
Paese d'origine -

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