APT8018JN

APT8018JN - Microsemi Corporation

Numero di parte
APT8018JN
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
MOSFET N-CH 800V 40A ISOTOP
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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APT8018JN Descrizione dettagliata

Numero di parte APT8018JN
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 800V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 40A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4V @ 5mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 700nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 14000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 690W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 180 mOhm @ 20A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto dispositivo fornitore ISOTOP®
Pacchetto / caso SOT-227-4, miniBLOC
Peso -
Paese d'origine -

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