| Numero di parte | APT40GP60JDQ2 |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo IGBT | PT |
| Configurazione | Single |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 600V |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 86A |
| Potenza - Max | 284W |
| Vce (on) (Max) @ Vge, Ic | 2.7V @ 15V, 40A |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 500µA |
| Capacità di ingresso (Cies) @ Vce | 4.61nF @ 25V |
| Ingresso | Standard |
| Termistore NTC | No |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Chassis Mount |
| Pacchetto / caso | SOT-227-4, miniBLOC |
| Pacchetto dispositivo fornitore | ISOTOP® |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT4012BVR | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Dettagli |
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APT4012BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 37A TO247AD | Dettagli |
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APT4016BVRG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V TO-247 | Dettagli |
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APT4065BNG | Microsemi Corporation | MOSFET N-CH 400V 11A TO247AD | Dettagli |
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APT40DC120HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 1200V SOT227 | Dettagli |
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APT40DC60HJ | Microsemi Corporation | RECT BRIDGE 40A 600V SOT227 | Dettagli |
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APT40DQ100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 40A TO247 | Dettagli |
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APT40DQ100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 40A TO247 | Dettagli |
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APT40DQ120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 40A TO247 | Dettagli |
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APT40DQ120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 40A TO247 | Dettagli |
