| Numero di parte | APT36N90BC3G |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 900V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 36A (Tc) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3.5V @ 2.9mA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 252nC @ 10V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 7463pF @ 25V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | Super Junction |
| Dissipazione di potenza (max) | 390W (Tc) |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 120 mOhm @ 18A, 10V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto dispositivo fornitore | TO-247 [B] |
| Pacchetto / caso | TO-247-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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APT30D100BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1KV 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D100BHBG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1000V 18A TO247 | Dettagli |
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APT30D120BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 1200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D120BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 1.2KV 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BCAG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D20BG | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 30A TO247 | Dettagli |
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APT30D30BCTG | Microsemi Corporation | DIODE ARRAY GP 300V 30A TO247 | Dettagli |
