| Numero di parte | 2N6990 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Transistor Type | 4 NPN (Quad) |
| Corrente - Collector (Ic) (Max) | 800mA |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 50V |
| Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic | 1V @ 50mA, 500mA |
| Corrente - Limite del collettore (max) | 10µA (ICBO) |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 100 @ 150mA, 10V |
| Potenza - Max | 400mW |
| Frequenza - Transizione | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 200°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 14-Flatpack |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 14-Flatpack |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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2N1011 | EXSHINE | germanium transistors | Dettagli |
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