| Numero di parte | 1N702 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 2.6V |
| Tolleranza | ±10% |
| Potenza - Max | 250mW |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 60 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 75µA @ 2.6V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| temperatura di esercizio | - |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
1N-SS119 | SEMTECH_ELEC | SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE | Dettagli |
|
1N-SS254 | SEMTECH | Packing Specification of 52mm Ammo Pack | Dettagli |
|
1N102 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N103 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N104 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N107 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N108 | EXSHINE | GOLD BONDED DIODES | Dettagli |
|
1N1081 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
|
1N1081A | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
|
1N1082 | EXSHINE | 1N1081 | Dettagli |
