1N4900A - Microsemi Corporation

Numero di parte	1N4900A
Stato parte	Active
Voltage - Zener (Nom) (Vz)	12.8V
Tolleranza	±5%
Potenza - Max	400mW
Impedenza (Max) (Zzt)	200 Ohm
Corrente - Perdita inversa @ Vr	-
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If	-
temperatura di esercizio	-55°C ~ 100°C
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto / caso	DO-204AA, DO-7, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore	DO-7
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
1N4001	Micro Commercial Co	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Dettagli
1N4001 BK	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Dettagli
1N4001 TR	Central Semiconductor Corp	DIODE GEN PURPOSE DO41	Dettagli
1N4001(M1)	TOS	1N4001(M1) TOS 1808L New Original Stocks	Dettagli
1N4001-A	DIODES	1.0A RECTIFIER	Dettagli
1N4001-B	Diodes Incorporated	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Dettagli
1N4001-E3/53	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Dettagli
1N4001-E3/54	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Dettagli
1N4001-E3/73	Vishay Semiconductor Diodes Division	DIODE GEN PURP 50V 1A DO204AL	Dettagli
1N4001-G	Comchip Technology	DIODE GEN PURP 50V 1A DO41	Dettagli