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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › 1214-300M
1214-300M

1214-300M - Microsemi Corporation

Numero di parte
1214-300M
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
TRANS RF BIPO 88W 4A 55ST1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1214-300M Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
75 pcs
Prezzo di riferimento
USD 357.384/pcs
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1214-300M Descrizione dettagliata

Numero di parte 1214-300M
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequenza - Transizione 1.2GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 7dB
Potenza - Max 88W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 20 @ 500mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 4A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55ST
Pacchetto dispositivo fornitore 55ST
Peso -
Paese d'origine -

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