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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - Bipolari (BJT) - RF › 1014-12
1014-12

1014-12 - Microsemi Corporation

Numero di parte
1014-12
fabbricante
Microsemi Corporation
Breve descrizione
TRANS RF BIPO 39W 5A 55LT1
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1014-12 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - Bipolari (BJT) - RF
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
150 pcs
Prezzo di riferimento
USD 180.1022/pcs
Il nostro prezzo
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1014-12 Descrizione dettagliata

Numero di parte 1014-12
Stato parte Active
Transistor Type NPN
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 50V
Frequenza - Transizione 1GHz ~ 1.4GHz
Figura del rumore (dB Typ @ f) -
Guadagno 6.8dB
Potenza - Max 39W
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce 10 @ 200mA, 5V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 5A
temperatura di esercizio 200°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso 55LT
Pacchetto dispositivo fornitore 55LT
Peso -
Paese d'origine -

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