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Casa › Categorie di Prodotto › Circuiti integrati (CI) › Memoria › MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR

MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR - Micron Technology Inc.

Numero di parte
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC DRAM 32G 1866MHZ FBGA
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Navigazione online PDF
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-
Categoria
Memoria
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
25830 pcs
Prezzo di riferimento
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MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR Descrizione dettagliata

Numero di parte MT53B512M64D8HR-053 WT ES:B TR
Stato parte Obsolete
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - Mobile LPDDR4
Dimensione della memoria 32Gb (512M x 64)
Frequenza di clock 1866MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina -
Tempo di accesso -
Interfaccia di memoria -
Tensione - Fornitura 1.1V
temperatura di esercizio -30°C ~ 85°C (TC)
Tipo di montaggio -
Pacchetto / caso -
Pacchetto dispositivo fornitore -
Peso -
Paese d'origine -

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