| Numero di parte | MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR |
|---|---|
| Stato parte | Not For New Designs |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 12Gb (384M x 32) |
| Frequenza di clock | 1600MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | 1.1V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 95°C (TC) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 AAT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 AUT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 XT:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2DS-062 XT:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ | Dettagli |
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MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA | Dettagli |
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MT53B384M32D2NK-062 WT ES:B TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 12G 1600MHZ FBGA | Dettagli |
