| Numero di parte | MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - Mobile LPDDR4 |
| Dimensione della memoria | 8Gb (256M x 32) |
| Frequenza di clock | 1600MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | - |
| Tensione - Fornitura | 1.1V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 105°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 AAT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 AIT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 AUT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1DS-062 XT:C TR | Micron Technology Inc. | IC DRAM 8G 1600MHZ | Dettagli |
|
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B | Micron Technology Inc. | LPDDR4 256MX64 WFB | Dettagli |
|
MT53B256M32D1GZ-062 AIT:B TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 8GBIT 1.6GHZ 200FBGA | Dettagli |
