MT47H64M8SH-25E AAT:H

MT47H64M8SH-25E AAT:H - Micron Technology Inc.

Numero di parte
MT47H64M8SH-25E AAT:H
fabbricante
Micron Technology Inc.
Breve descrizione
IC DRAM 512M PARALLEL 400MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Memoria
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New
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MT47H64M8SH-25E AAT:H Descrizione dettagliata

Numero di parte MT47H64M8SH-25E AAT:H
Stato parte Last Time Buy
Tipo di memoria Volatile
Formato di memoria DRAM
Tecnologia SDRAM - DDR2
Dimensione della memoria 512Mb (64M x 8)
Frequenza di clock 400MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina 15ns
Tempo di accesso 400ps
Interfaccia di memoria Parallel
Tensione - Fornitura 1.7V ~ 1.9V
temperatura di esercizio -40°C ~ 105°C (TA)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso 60-TFBGA
Pacchetto dispositivo fornitore 60-FBGA (10x18)
Peso -
Paese d'origine -

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