| Numero di parte | MT47H512M8WTR-25E:C TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Volatile |
| Formato di memoria | DRAM |
| Tecnologia | SDRAM - DDR2 |
| Dimensione della memoria | 4Gb (512M x 8) |
| Frequenza di clock | 400MHz |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | 15ns |
| Tempo di accesso | 400ps |
| Interfaccia di memoria | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 1.7 V ~ 1.9 V |
| temperatura di esercizio | 0°C ~ 85°C (TC) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | 63-TFBGA |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 63-FBGA (9x11.5) |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MT47H512M4EB-187E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 533MHZ 60FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4EB-25E:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4EB-25E:C TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 60FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4EB-3:C | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 60FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4THN-25E:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4THN-25E:M | Micron Technology Inc. | IC DRAM 2G PARALLEL 400MHZ | Dettagli |
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MT47H512M4THN-25E:M TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 400MHZ 63FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4THN-37E:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 266MHZ 63FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4THN-3:E TR | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Dettagli |
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MT47H512M4THN-3:H | Micron Technology Inc. | IC SDRAM 2GBIT 333MHZ 63FBGA | Dettagli |
