MT46V128M4TG-75E:D - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT46V128M4TG-75E:D
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 66TSOP
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica: MT46V128M4TG-75E:D Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica: -
Categoria: Memoria
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
Quantità di stock: 4397 pcs
Prezzo di riferimento: USD 0/pcs
Il nostro prezzo: Invia per e-mail: [email protected]

Numero di parte	MT46V128M4TG-75E:D
Stato parte	Obsolete
Tipo di memoria	Volatile
Formato di memoria	DRAM
Tecnologia	SDRAM - DDR
Dimensione della memoria	512Mb (128M x 4)
Frequenza di clock	133MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	15ns
Tempo di accesso	750ps
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.3 V ~ 2.7 V
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto / caso	66-TSSOP (0.400", 10.16mm Width)
Pacchetto dispositivo fornitore	66-TSOP
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT46V128M4BN-5B:F	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-5B:F TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 200MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-6:D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-6:D TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-6:F	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-6:F TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 167MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-75:D	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4BN-75:D TR	Micron Technology Inc.	IC SDRAM 512MBIT 133MHZ 60FBGA	Dettagli
MT46V128M4CY-5B:J	Micron Technology Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ	Dettagli
MT46V128M4CY-5B:J TR	Micron Technology Inc.	IC DRAM 512M PARALLEL 200MHZ	Dettagli