| Numero di parte | MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo di memoria | Non-Volatile |
| Formato di memoria | FLASH |
| Tecnologia | FLASH - NAND |
| Dimensione della memoria | 4Gb (4G x 1) |
| Frequenza di clock | - |
| Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina | - |
| Tempo di accesso | - |
| Interfaccia di memoria | SPI |
| Tensione - Fornitura | 2.7V ~ 3.6V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C (TA) |
| Tipo di montaggio | - |
| Pacchetto / caso | - |
| Pacchetto dispositivo fornitore | - |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Dettagli |
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MT29F4G01AAADDHC-IT:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Dettagli |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Dettagli |
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MT29F4G01AAADDHC-ITX:D TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Dettagli |
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MT29F4G01AAADDHC:D | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4GBIT 63VFBGA | Dettagli |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Dettagli |
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MT29F4G01ABAFD12-AATES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Dettagli |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Dettagli |
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MT29F4G01ABAFD12-ITES:F TR | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI TBGA | Dettagli |
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MT29F4G01ABAFDWB-IT:F | Micron Technology Inc. | IC FLASH 4G SPI UPDFN | Dettagli |
