MT29E512G08CKCCBH7-6:C - Micron Technology Inc.

Numero di parte: MT29E512G08CKCCBH7-6:C
fabbricante: Micron Technology Inc.
Breve descrizione: IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Memoria
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Codice data: New
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Numero di parte	MT29E512G08CKCCBH7-6:C
Stato parte	Active
Tipo di memoria	Non-Volatile
Formato di memoria	FLASH
Tecnologia	FLASH - NAND
Dimensione della memoria	512Gb (64G x 8)
Frequenza di clock	167MHz
Scrivi il tempo di ciclo - Parola, Pagina	-
Tempo di accesso	-
Interfaccia di memoria	Parallel
Tensione - Fornitura	2.7V ~ 3.6V
temperatura di esercizio	0°C ~ 70°C (TA)
Tipo di montaggio	-
Pacchetto / caso	-
Pacchetto dispositivo fornitore	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 333MHZ	Dettagli
MT29E512G08CEHBBJ4-3:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 333MHZ 132VBGA	Dettagli
MT29E512G08CEHBBJ4-3ES:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 333MHZ 132VBGA	Dettagli
MT29E512G08CKCBBH7-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli
MT29E512G08CKCCBH7-6:C	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512G PARALLEL 167MHZ	Dettagli
MT29E512G08CKCCBH7-6:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli
MT29E512G08CMCBBH7-6:B TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli
MT29E512G08CMCCBH7-6:C	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli
MT29E512G08CMCCBH7-6:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli
MT29E512G08CMCCBH7-6ES:C TR	Micron Technology Inc.	IC FLASH 512GBIT 167MHZ 152TBGA	Dettagli