| Numero di parte | SI2306-TP |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Tipo FET | N-Channel |
| Tecnologia | MOSFET (Metal Oxide) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 30V |
| Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C | 3.16A (Ta) |
| Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) | 10V |
| Vgs (th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 4.5nC @ 5V |
| Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds | 305pF @ 15V |
| Vgs (massimo) | ±20V |
| Caratteristica FET | - |
| Dissipazione di potenza (max) | 750mW |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 65 mOhm @ 2.5A, 4.5V |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 150°C (TJ) |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto dispositivo fornitore | SOT-23 |
| Pacchetto / caso | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
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SI2111-A10-GM | Silicon Labs | IC SAT TV RCVR DVB-T 48-QFN | Dettagli |
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SI2113-A10-GMR | Silicon Labs | IC SAT TV RCVR DVB-C 48-QFN | Dettagli |
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SI2115-A10-GMR | Silicon Labs | IC SAT TV RCVR DVB-T/C 48-QFN | Dettagli |
