| Numero di parte | DL4006-TP |
|---|---|
| Stato parte | Obsolete |
| Tipo diodo | Standard |
| Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) | 800V |
| Corrente - Rettificato medio (Io) | 1A |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.1V @ 1A |
| Velocità | Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io) |
| Tempo di recupero inverso (trr) | - |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 5µA @ 800V |
| Capacità @ Vr, F | - |
| Tipo di montaggio | Surface Mount |
| Pacchetto / caso | DO-213AB, MELF |
| Pacchetto dispositivo fornitore | MELF |
| Temperatura operativa - Giunzione | -65°C ~ 150°C |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
|---|---|---|---|---|
 |
DL40 | EXSHINE | MINI THROUGH BEAM SENSOR with separate amplifier | Dettagli |
|
DL40-F-01M | EXSHINE | MINI THROUGH BEAM SENSOR with separate amplifier | Dettagli |
|
DL40-F-11M | EXSHINE | MINI THROUGH BEAM SENSOR with separate amplifier | Dettagli |
|
DL40-P-01M | EXSHINE | MINI THROUGH BEAM SENSOR with separate amplifier | Dettagli |
|
DL40-P-11M | EXSHINE | MINI THROUGH BEAM SENSOR with separate amplifier | Dettagli |
|
DL400 | EXSHINE | VME Basismodul | Dettagli |
|
DL4001 | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | Dettagli |
 |
DL4001-13 | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | Dettagli |
|
DL4001-13-F | Diodes Incorporated | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | Dettagli |
|
DL4001-TP | Micro Commercial Co | DIODE GEN PURP 50V 1A MELF | Dettagli |
