• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Diodi - Raddrizzatori - Singoli › 1N5401-TP
1N5401-TP

1N5401-TP - Micro Commercial Co

Numero di parte
1N5401-TP
fabbricante
Micro Commercial Co
Breve descrizione
DIODE GEN PURP 100V 3A DO201AD
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
1N5401-TP Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Diodi - Raddrizzatori - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
9000 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0.0725/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per 1N5401-TP

1N5401-TP Descrizione dettagliata

Numero di parte 1N5401-TP
Stato parte Active
Tipo diodo Standard
Tensione - DC Reverse (Vr) (Max) 100V
Corrente - Rettificato medio (Io) 3A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If 1V @ 3A
Velocità Standard Recovery >500ns, > 200mA (Io)
Tempo di recupero inverso (trr) -
Corrente - Perdita inversa @ Vr 5µA @ 100V
Capacità @ Vr, F 40pF @ 4V, 1MHz
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso DO-201AD, Axial
Pacchetto dispositivo fornitore DO-201AD
Temperatura operativa - Giunzione -55°C ~ 150°C
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER 1N5401-TP

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
1N500 1N500 EXSHINE GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) Dettagli
1N5008A 1N5008A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5009A- 1N5009A- CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N501 1N501 EXSHINE GOLD BONDED DIODES(Low forward voltage, low power consumption) Dettagli
1N5010A 1N5010A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5011A 1N5011A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5012A 1N5012A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5013A 1N5013A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5014A 1N5014A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli
1N5015A 1N5015A CENTRAL ZENER DIODES Dettagli