| Numero di parte | MAX626MJA/883B |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Configurazione guidata | Low-Side |
| Tipo di canale | Independent |
| Numero di driver | 2 |
| Gate Type | N-Channel, P-Channel MOSFET |
| Tensione - Fornitura | 4.5 V ~ 18 V |
| Tensione logica - VIL, VIH | 0.8V, 2V |
| Corrente - Uscita picco (sorgente, lavello) | 2A, 2A |
| Tipo di input | Inverting |
| Tensione lato alto - Max (Bootstrap) | - |
| Rise / Fall Time (Typ) | 25ns, 20ns |
| temperatura di esercizio | -55°C ~ 125°C (TA) |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 8-CDIP (0.300", 7.62mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 8-CERDIP |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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MAX620CPN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18-DIP | Dettagli |
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MAX620CPN+ | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-DIP | Dettagli |
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MAX620CWN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC | Dettagli |
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MAX620CWN+ | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | Dettagli |
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MAX620CWN+T | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | Dettagli |
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MAX620EPN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18-DIP | Dettagli |
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MAX620EWN | Maxim Integrated | IC DVR QUAD HISIDE MOSFET 18SOIC | Dettagli |
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MAX620EWN+ | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | Dettagli |
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MAX620EWN+T | Maxim Integrated | IC DRVR MOSFET QUAD 18-SOIC | Dettagli |
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MAX621CPN | Maxim Integrated | IC DVR MOSFET QUAD HI-SIDE 18DIP | Dettagli |
