| Numero di parte | DS1251W-120IND+ |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| genere | Phantom Time Chip |
| Caratteristiche | Leap Year, NVSRAM |
| Dimensione della memoria | 512KB |
| Formato orario | HH:MM:SS:hh (12/24 hr) |
| Formato data | YY-MM-DD-dd |
| Interfaccia | Parallel |
| Tensione - Fornitura | 2.97 V ~ 3.63 V |
| Tensione - Alimentazione, batteria | - |
| Corrente - Indicazione dell'ora (max) | 7mA @ 3.3V |
| temperatura di esercizio | -40°C ~ 85°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | 32-DIP Module (0.600", 15.24mm) |
| Pacchetto dispositivo fornitore | 32-EDIP |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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DS1250AB-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-100+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-100IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-100IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-70 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-70+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-70IND | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250AB-70IND+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 70NS 32EDIP | Dettagli |
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DS1250ABP-100 | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM | Dettagli |
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DS1250ABP-100+ | Maxim Integrated | IC NVSRAM 4MBIT 100NS 34PCM | Dettagli |
