F1206 - POLYFET

Numero di parte: F1206
fabbricante: POLYFET
Breve descrizione: PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR　　
Stato senza piombo / Stato RoHS: Senza piombo / RoHS
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Categoria: Diodo Transistor - 3
Tempo di consegna: 1 Day
Codice data: New
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Prezzo di riferimento: USD 0/pcs
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Numero di parte	F1206
Package Type	SMD or Through Hole
Rohs Status	Lead free / RoHS Compliant
Description	PATENTED GOLD METALIZED SILICON GATE ENHANCEMENT MODE RF POWER VDMOS TRANSISTOR
MFG Part Code	F1206
Series	F12
Delivery Time	1 Day
Caratteristiche	-
Voltaggio	-
Date Code	New
Tipo di montaggio	-
temperatura di esercizio	-
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1
attuale	-
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
F1-80C31-12	ORIGINAL	F1-80C31-12 ORIGINAL QFP New Original Stocks	Dettagli
F1-80C51TAG	MHS	F1-80C51TAG MHS QFP New Original Stocks	Dettagli
F1-8XT	HYPER	F1-8XT HYPER SMD or Through Hole New Original Stocks	Dettagli
F1-AAG	ATHEROS	F1-AAG ATHEROS QFP New Original Stocks	Dettagli
F10	XP Power	DC DC CONVERTER 1000V 10W	Dettagli
F10-100GIP	CFEON	F10-100GIP CFEON SOP New Original Stocks	Dettagli
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F10-2950546R	Harwin Inc.	CONN FPC VERT 5POS 1.00MM SMD	Dettagli
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