| Numero di parte | JANTXV1N5529B-1 |
|---|---|
| Stato parte | Active |
| Voltage - Zener (Nom) (Vz) | 9.1V |
| Tolleranza | ±5% |
| Potenza - Max | - |
| Impedenza (Max) (Zzt) | 45 Ohm |
| Corrente - Perdita inversa @ Vr | 100nA @ 8.2V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | - |
| temperatura di esercizio | -65°C ~ 175°C |
| Tipo di montaggio | Through Hole |
| Pacchetto / caso | DO-204AH, DO-35, Axial |
| Pacchetto dispositivo fornitore | DO-35 |
| Peso | - |
| Paese d'origine | - |
| Immagine | Numero di parte | Produttori | Descrizione | vista |
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JANTX1N1184 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1184R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 100V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1186 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1186R | Microsemi Corporation | SILICON RECTIFIER | Dettagli |
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JANTX1N1188R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 35A DO203AB | Dettagli |
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JANTX1N1190 | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1190R | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 600V 35A DO5 | Dettagli |
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JANTX1N1202A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1202AR | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 200V 12A DO203AA | Dettagli |
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JANTX1N1204A | Microsemi Corporation | DIODE GEN PURP 400V 12A DO203AA | Dettagli |
