• Italia
      Language Translation
    • English
    • Deutschl
    • Italia
    • France
    • España
    • 대한민국
    • 日本语
    • русский
Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Moduli › MIAA15WB600TMH
MIAA15WB600TMH

MIAA15WB600TMH - IXYS

Numero di parte
MIAA15WB600TMH
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MODULE IGBT CBI
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
MIAA15WB600TMH Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Moduli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
749 pcs
Prezzo di riferimento
USD 34.6735/pcs
Il nostro prezzo
Invia per e-mail: [email protected]

Si prega di compilare il modulo sottostante per richiedere un preventivo per MIAA15WB600TMH

MIAA15WB600TMH Descrizione dettagliata

Numero di parte MIAA15WB600TMH
Stato parte Active
Tipo IGBT NPT
Configurazione Three Phase Inverter with Brake
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 23A
Potenza - Max 80W
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 15A
Corrente - Limite del collettore (max) 600µA
Capacità di ingresso (Cies) @ Vce 0.7nF @ 25V
Ingresso Three Phase Bridge Rectifier
Termistore NTC Yes
temperatura di esercizio -40°C ~ 125°C (TJ)
Tipo di montaggio Chassis Mount
Pacchetto / caso MiniPack2
Pacchetto dispositivo fornitore MiniPack2
Peso -
Paese d'origine -

PRODOTTI CORRELATI PER MIAA15WB600TMH

Immagine Numero di parte Produttori Descrizione vista
MIAA10WB600TMH MIAA10WB600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA10WD600TMH MIAA10WD600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA10WE600TMH MIAA10WE600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA10WF600TMH MIAA10WF600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA15WB600TMH MIAA15WB600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA15WD600TMH MIAA15WD600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli
MIAA15WE600TMH MIAA15WE600TMH IXYS MODULE IGBT CBI Dettagli