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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IXXH30N65C4D1
IXXH30N65C4D1

IXXH30N65C4D1 - IXYS

Numero di parte
IXXH30N65C4D1
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
IGBT
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXXH30N65C4D1 Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
-
Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
36680 pcs
Prezzo di riferimento
USD 4.48867/pcs
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IXXH30N65C4D1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXXH30N65C4D1
Stato parte Active
Tipo IGBT -
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 650V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 62A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 136A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 2.5V @ 15V, 30A
Potenza - Max 230W
Cambiare energia 1.1mJ (on), 400µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 47nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 20ns/140ns
Condizione di test 400V, 30A, 15 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 72ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto / caso TO-247-3
Pacchetto dispositivo fornitore TO-247AD
Peso -
Paese d'origine -

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