IXTY08N100D2

IXTY08N100D2 - IXYS

Numero di parte
IXTY08N100D2
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 1000V 800MA DPAK
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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1 Day
Codice data
New
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IXTY08N100D2 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTY08N100D2
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 800mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) -
Vgs (th) (Max) @ Id -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 14.6nC @ 5V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 325pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET Depletion Mode
Dissipazione di potenza (max) 60W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 21 Ohm @ 400mA, 0V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore TO-252, (D-Pak)
Pacchetto / caso TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Peso -
Paese d'origine -

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