IXTT360N055T2 - IXYS

Numero di parte	IXTT360N055T2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	360A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	330nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	20000pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	935W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.4 mOhm @ 100A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTT30N50L	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	Dettagli
IXTT30N50L2	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268	Dettagli
IXTT30N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 30A TO-268 D3	Dettagli
IXTT30N60L2	IXYS	MOSFET N-CH 600V 30A TO-268	Dettagli
IXTT30N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 30A TO-268 D3	Dettagli
IXTT34N65X2HV	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXTT360N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 360A TO268	Dettagli
IXTT36N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 36A TO-268 D3	Dettagli
IXTT36P10	IXYS	MOSFET P-CH 100V 36A TO-268	Dettagli
IXTT3N200P3HV	IXYS	2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF	Dettagli