IXTQ180N055T - IXYS

Numero di parte	IXTQ180N055T
Stato parte	Obsolete
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	55V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	180A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	-
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 1mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	160nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	5800pF @ 25V
Vgs (massimo)	-
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	4 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-3P
Pacchetto / caso	TO-3P-3, SC-65-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTQ100N25P	IXYS	MOSFET N-CH 250V 100A TO-3P	Dettagli
IXTQ102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-3P	Dettagli
IXTQ102N20T	IXYS	MOSFET N-CH 200V 102A TO3P	Dettagli
IXTQ102N25T	IXYS	MOSFET N-CH 250V 102A TO-3P	Dettagli
IXTQ10P50P	IXYS	MOSFET P-CH 500V 10A TO-3P	Dettagli
IXTQ110N055P	IXYS	MOSFET N-CH 55V 110A TO-3P	Dettagli
IXTQ110N10P	IXYS	MOSFET N-CH 100V 110A TO-3P	Dettagli
IXTQ120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	Dettagli
IXTQ120N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-3P	Dettagli
IXTQ120N20P	IXYS	MOSFET N-CH 200V 120A TO-3P	Dettagli