IXTP26P20P - IXYS

Numero di parte	IXTP26P20P
Stato parte	Active
Tipo FET	P-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	200V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	56nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2740pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	300W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	170 mOhm @ 13A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTP01N100D	IXYS	MOSFET N-CH 1KV .1A TO-220AB	Dettagli
IXTP02N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 0.2A TO-220	Dettagli
IXTP02N50D	IXYS	MOSFET N-CH 500V 0.2A TO-220	Dettagli
IXTP05N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.75A TO-220	Dettagli
IXTP05N100M	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 700MA TO-220	Dettagli
IXTP05N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 500MA TO-263	Dettagli
IXTP06N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 600MA TO-220	Dettagli
IXTP08N100D2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 0.8A TO220AB	Dettagli
IXTP08N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 800MA TO-220	Dettagli
IXTP08N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 800MA TO-220	Dettagli