IXTH04N300P3HV - IXYS

Numero di parte	IXTH04N300P3HV
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	3000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	400mA (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	13nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	283pF @ 25V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	104W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	190 Ohm @ 200mA, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-247HV
Pacchetto / caso	TO-247-3 Variant
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTH02N250	IXYS	MOSFET N-CH 2500V 0.2A TO247	Dettagli
IXTH02N450HV	IXYS	MOSFET N-CH 4500V 0.2A TO247HV	Dettagli
IXTH04N300P3HV	IXYS	2000V TO 3000V POLAR3 POWER MOSF	Dettagli
IXTH06N220P3HV	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli