IXTC160N10T

IXTC160N10T - IXYS

Numero di parte
IXTC160N10T
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 100V 83A ISOPLUS220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
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New
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IXTC160N10T Descrizione dettagliata

Numero di parte IXTC160N10T
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 83A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 4.5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 132nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 6600pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 140W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 7.5 mOhm @ 25A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore ISOPLUS220™
Pacchetto / caso ISOPLUS220™
Peso -
Paese d'origine -

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