IXTA270N04T4-7 - IXYS

Numero di parte	IXTA270N04T4-7
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	40V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	270A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	182nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	9140pF @ 25V
Vgs (massimo)	±15V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	375W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 mOhm @ 50A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-263-7
Pacchetto / caso	TO-263-7, D²Pak (6 Leads + Tab)
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXTA200N055T2	IXYS	MOSFET N-CH 55V 200A TO-263	Dettagli
IXTA200N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-263	Dettagli
IXTA200N075T7	IXYS	MOSFET N-CH 75V 200A TO-263-7	Dettagli
IXTA200N085T	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-263	Dettagli
IXTA200N085T7	IXYS	MOSFET N-CH 85V 200A TO-263-7	Dettagli
IXTA20N65X	IXYS	MOSFET N-CH 650V 20A TO-263	Dettagli
IXTA220N04T2-7	IXYS	MOSFET N-CH 40V 220A TO-263-7	Dettagli
IXTA220N055T	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-263	Dettagli
IXTA220N055T7	IXYS	MOSFET N-CH 55V 220A TO-263-7	Dettagli
IXTA220N075T	IXYS	MOSFET N-CH 75V 220A TO-263	Dettagli