IXKC15N60C5 - IXYS

Numero di parte	IXKC15N60C5
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	15A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	3.5V @ 900µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	52nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	2000pF @ 100V
Vgs (massimo)	±20V
Caratteristica FET	Super Junction
Dissipazione di potenza (max)	-
Rds On (Max) @ Id, Vgs	165 mOhm @ 12A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS220™
Pacchetto / caso	ISOPLUS220™
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXKC13N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 13A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC15N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC19N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 19A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC20N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 15A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC23N60C5	IXYS	MOSFET N-CH 600V 23A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC25N80C	IXYS	MOSFET N-CH 800V 25A ISOPLUS220	Dettagli
IXKC40N60C	IXYS	MOSFET N-CH 600V 28A ISOPLUS220	Dettagli