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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - IGBT - Singoli › IXGT30N60B2D1
IXGT30N60B2D1

IXGT30N60B2D1 - IXYS

Numero di parte
IXGT30N60B2D1
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
IGBT 600V 70A 190W TO268
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXGT30N60B2D1 Navigazione online PDF
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Categoria
Transistor - IGBT - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
3875 pcs
Prezzo di riferimento
USD 0/pcs
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IXGT30N60B2D1 Descrizione dettagliata

Numero di parte IXGT30N60B2D1
Stato parte Obsolete
Tipo IGBT PT
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 600V
Corrente - Collector (Ic) (Max) 70A
Corrente - Collector Pulsed (Icm) 150A
Vce (on) (Max) @ Vge, Ic 1.8V @ 15V, 24A
Potenza - Max 190W
Cambiare energia 320µJ (off)
Tipo di input Standard
Carica del cancello 66nC
Td (acceso / spento) @ 25 ° C 13ns/110ns
Condizione di test 400V, 24A, 5 Ohm, 15V
Tempo di recupero inverso (trr) 25ns
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Surface Mount
Pacchetto / caso TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Pacchetto dispositivo fornitore TO-268
Peso -
Paese d'origine -

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