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Casa › Categorie di Prodotto › Dispositivi a semiconduttore discreti › Transistor - FET, MOSFET - Singoli › IXFX120N30T
IXFX120N30T

IXFX120N30T - IXYS

Numero di parte
IXFX120N30T
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 300V 120A PLUS247
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
Vista online della scheda tecnica
IXFX120N30T Navigazione online PDF
Scarica il PDF della scheda tecnica
IXFX120N30T.pdf
Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
Quantità di stock
2081 pcs
Prezzo di riferimento
USD 12.6/pcs
Il nostro prezzo
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IXFX120N30T Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFX120N30T
Stato parte Active
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 120A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 265nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 20000pF @ 25V
Vgs (massimo) ±20V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 960W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 24 mOhm @ 60A, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS247™-3
Pacchetto / caso TO-247-3
Peso -
Paese d'origine -

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