IXFV26N60P

IXFV26N60P - IXYS

Numero di parte
IXFV26N60P
fabbricante
IXYS
Breve descrizione
MOSFET N-CH 600V 26A PLUS220
Stato senza piombo / Stato RoHS
Senza piombo / RoHS
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Categoria
Transistor - FET, MOSFET - Singoli
Tempo di consegna
1 Day
Codice data
New
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IXFV26N60P Descrizione dettagliata

Numero di parte IXFV26N60P
Stato parte Obsolete
Tipo FET N-Channel
Tecnologia MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C 26A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) 10V
Vgs (th) (Max) @ Id 5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 72nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds 4150pF @ 25V
Vgs (massimo) ±30V
Caratteristica FET -
Dissipazione di potenza (max) 460W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs 270 mOhm @ 500mA, 10V
temperatura di esercizio -55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore PLUS220
Pacchetto / caso TO-220-3, Short Tab
Peso -
Paese d'origine -

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