IXFV26N60P Descrizione dettagliata
Numero di parte |
IXFV26N60P |
Stato parte |
Obsolete |
Tipo FET |
N-Channel |
Tecnologia |
MOSFET (Metal Oxide) |
Drain to Source Voltage (Vdss) |
600V |
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C |
26A (Tc) |
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo) |
10V |
Vgs (th) (Max) @ Id |
5V @ 4mA |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs |
72nC @ 10V |
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds |
4150pF @ 25V |
Vgs (massimo) |
±30V |
Caratteristica FET |
- |
Dissipazione di potenza (max) |
460W (Tc) |
Rds On (Max) @ Id, Vgs |
270 mOhm @ 500mA, 10V |
temperatura di esercizio |
-55°C ~ 150°C (TJ) |
Tipo di montaggio |
Through Hole |
Pacchetto dispositivo fornitore |
PLUS220 |
Pacchetto / caso |
TO-220-3, Short Tab |
Peso |
- |
Paese d'origine |
- |
PRODOTTI CORRELATI PER IXFV26N60P