IXFT100N30X3HV - IXYS

Numero di parte	IXFT100N30X3HV
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	300V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	100A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	13.5 mOhm @ 50A, 10V
Vgs (th) (Max) @ Id	4.5V @ 4mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	122nC @ 10V
Vgs (massimo)	±20V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	7.66nF @ 25V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	480W (Tc)
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Surface Mount
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-268HV
Pacchetto / caso	TO-268-3, D³Pak (2 Leads + Tab), TO-268AA
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFT100N30X3HV	IXYS	300V/100A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Dettagli
IXFT10N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 10A TO-268	Dettagli
IXFT120N15P	IXYS	MOSFET N-CH 150V 120A TO-268	Dettagli
IXFT120N25X3HV	IXYS	250V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Dettagli
IXFT120N30X3HV	IXYS	300V/120A ULTRA JUNCTION X3-CLAS	Dettagli
IXFT12N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO-268	Dettagli
IXFT12N100F	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12A TO268	Dettagli
IXFT12N100Q	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 12A TO268	Dettagli
IXFT12N90Q	IXYS	MOSFET N-CH 900V 12A TO-268	Dettagli
IXFT13N100	IXYS	MOSFET N-CH 1KV 12.5A TO-268	Dettagli