IXFP4N60P3 - IXYS

Numero di parte	IXFP4N60P3
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	4A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	6.9nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	365pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	114W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	2.2 Ohm @ 2A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	TO-220AB
Pacchetto / caso	TO-220-3
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFP102N15T	IXYS	MOSFET N-CH 150V 102A TO-220	Dettagli
IXFP10N60P	IXYS	MOSFET N-CH 600V 10A TO-220	Dettagli
IXFP10N80P	IXYS	MOSFET N-CH 800V 10A TO-220	Dettagli
IXFP110N15T2	IXYS	MOSFET N-CH 150V 110A TO-220	Dettagli
IXFP12N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 12A TO-220	Dettagli
IXFP12N50PM	IXYS	MOSFET N-CH 500V 6A TO-220	Dettagli
IXFP12N65X2	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli
IXFP130N10T	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Dettagli
IXFP130N10T2	IXYS	MOSFET N-CH 100V 130A TO-220	Dettagli
IXFP130N15X3	IXYS	MOSFET N-CH	Dettagli