IXFL38N100Q2 - IXYS

Numero di parte	IXFL38N100Q2
Stato parte	Active
Tipo FET	N-Channel
Tecnologia	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	1000V
Corrente - Scarico continuo (Id) @ 25 ° C	29A (Tc)
Tensione dell'unità (Rds massimo attivato, Rds minimo attivo)	10V
Vgs (th) (Max) @ Id	5.5V @ 8mA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	250nC @ 10V
Capacità di ingresso (Ciss) (Max) @ Vds	13500pF @ 25V
Vgs (massimo)	±30V
Caratteristica FET	-
Dissipazione di potenza (max)	380W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs	280 mOhm @ 19A, 10V
temperatura di esercizio	-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo di montaggio	Through Hole
Pacchetto dispositivo fornitore	ISOPLUS264™
Pacchetto / caso	ISOPLUS264™
Peso	-
Paese d'origine	-

Numero di parte	Produttori	Descrizione	vista
IXFL100N50P	IXYS	MOSFET N-CH 500V 70A ISOPLUS264	Dettagli
IXFL132N50P3	IXYS	MOSFET N-CH 500V 63A ISOPLUS264	Dettagli
IXFL210N30P3	IXYS	MOSFET N-CH 300V 108A TO-264	Dettagli
IXFL30N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 18A I5-PAK	Dettagli
IXFL32N120P	IXYS	MOSFET N-CH 1200V 24A I5-PAK	Dettagli
IXFL34N100	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 30A ISOPLUS264	Dettagli
IXFL38N100P	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A I5-PAK	Dettagli
IXFL38N100Q2	IXYS	MOSFET N-CH 1000V 29A ISOPLUS264	Dettagli
IXFL39N90	IXYS	MOSFET N-CH 900V 34A ISOPLUS264	Dettagli
IXFL40N110P	IXYS	MOSFET N-CH 1100V 21A ISOPLUS264	Dettagli